| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Спектрально-люминесцентные свойства эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, легированных тербием
Н.В.Васильева, В.В.Рандошкин, В.Н.Колобанов, Е.Б.Крюкова, В.В.Михайлин,
Н.Н.Петровнин, В.Г.Плотниченко, Ю.Н.Пырков, Д.А.Спасский, Н.Н.Сысоев
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики
им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына
Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
E-mail: natashav@ok.ru
(Поступила в Редакцию 9 ноября 2005 г.)
|
Методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе системы PbO--BO выращены монокристаллические Tb-содержащие пленки гадолиний-галлиевого граната. В этих материалах исследованы оптическое поглощение в диапазоне длин волн от 0.2 до m и люминесценция при возбуждении синхротронным излучением с энергией eV при температурах 10 и 300 K. Обнаружена полоса поглощения с масимумом на длине волны m, соответствующая разрешенному по спину электрическому дипольному переходу между электронными конфигурациями ионов Tb. В диапазоне длин волн от 1.7 до m наблюдаются узкие малоинтенсивные полосы поглощения -переходов с основного уровня иона Tb на уровни мультиплетов . В спектрах люминесценции при 10 K наиболее интенсивной является полоса с максимумом на длине волны m, связанная с излучательным переходом в ионе Tb. Работа выполнена при поддержке грантов DFG 436 RUS 113/437 и НШ 1771.2003.2. PACS: 78.20.Ci, 78.40.-q |
| PDF версия (301Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |