ФТТ, 2007, том 49, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект переключения в халькогенидных стеклах

И.А.Чабан

ФГУП \glqq Акустический институт им. акад. Н.Н. Андреева\grqq,
117036 Москва, Россия
E-mail: chaban@akin.ru

(Поступила в Редакцию 13 апреля 2006 г.)

Предложена новая, не похожая на предлагавшиеся ранее физическая картина эффекта переключения в халькогенидных стеклах. В ней использована кластерная модель структуры стекла. Характер проводимости после переключения рассматривается на отдельных участках как резонансное движение синглетных пар электронов по двухуровневым системам, образованным соседними локализованными состояниями. Из этой картины естественным образом следуют электронный (не тепловой) и пороговый характер переключения, увеличение тока на много порядков, шнурование тока, появление памяти при длительном нахождении в электрическом поле, типичное значение пороговой напряженности поля.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-16196-a).

PACS: 72.80.Ng, 73.61.Jg

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster