ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронная структура и энергии межатомных связей в TiSi2 с кристаллической структурой c49

Б.Д.Шанина, Н.Н.Григорьев, А.И.Климовская, T.I.Kamins\kern1pt*

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Hewlett-Packard Laboratories, Palo Alto, CA, USA
E-mail: shanina

(Поступила в Редакцию 6 марта 2006 г.)

Методом присоединенных плоских волн выполнен полноэлектронный расчет электронной структуры TiSi2 в структурной модификации c49. Полная энергия, электронная зонная структура и плотность электронных состояний вычисляются для раcширенной трансляционной ячейки Ti4Si8, проявляющейся в процессе роста кремниевой нанопроволоки на подложке Si-p. Проведен расчет для двух орторомбических ячеек с нестехиометрическим составом Ti3Si9 и Ti5Si7, вычислены энергии межатомных связей. Величины энергий равны ESi-Si=1.8 eV, ETi-Ti=2.29 eV и ETi-Si=4.47 eV. Оптимизация объема структурной ячейки позволила получить зависимость Etot(V), где V --- объем ячейки. Из уравнения состояния твердого тела Мурнагана и кривой E(V) получен модуль объемного сжатия B0=132 GPa, после чего сделана оценка энергии активации межузельной диффузии атома кремния Qi(Si)~0.8 eV.

Грант CRDF проекта UE-5001-KV-03.

PACS: 71.15.Nc, 71.15.Mb, 71.20.--b

 PDF версия (305Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster