ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства квантовых ям InGaAs/GaAs с delta<Mn>-легированным слоем в GaAs

Б.А.Аронзон *,**, А.Б.Грановский ***, А.Б.Давыдов *, Ю.А.Данилов ****,
Б.Н.Звонков ****, В.В.Рыльков *,**, Е.А.Ускова ****

* Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
** Институт теоретической и прикладной электродинамики,
127412 Москва, Россия
*** Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
**** Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: aronzon@imp.kiae.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 21 мая 2006 г.)

С использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии развит метод создания 2D-структур, включающих delta-легированный Mn-слой в GaAs и квантовую яму (КЯ) InxGa1-xAs, разделенные GaAs-спейсером толщиной d=4-6 nm. Показано, что полученные структуры вплоть до комнатных температур обладают ферромагнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием MnAs-кластеров. В области низких температур (Tm~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который связывается с рассеянием дырок на ионах Mn в GaAs и магнитным обменом между этими центрами и дырками КЯ, определяющим их спиновую поляризацию. При низких температурах обнаружены также особенности в поведении отрицательного магнитосопротивления, указывающие на существенную роль квантовых интерференционных эффектов.

Работа выполнена при поддержке программы РАН \glqq Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника\grqq и грантов РФФИ N 03-02-17029, 04-02-16158, 04-02-19964, 05-02-16624 и 05-02-17021.

PACS: 73.21.Fg, 72.25.Dc, 75.47.-m, 75.50.Pp

 PDF версия (267Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster