| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Эффекты локализации электронов в VO
В.Н.Андреев, В.А.Климов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vn.andreev.solid@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 17 апреля 2006 г.)
|
Исследовано влияние отклонения от стехиометрии на фазовый переход металл--изолятор в VO. Установлено, что при увеличении дефицита ванадия в VO температура фазового перехода смещается в сторону низких температур, а ширина температурного гистерезиса электропроводности увеличивается. При увеличении дефицита ванадия до значений, соответствующих составу O, фазовый переход полностью исчезает, и образец остается металлом вплоть до K. На образцах такого состава было измерено магнетосопротивление в продольном и поперечном магнитном поле при K. Работа поддержана научной программой ОФН РАН. PACS: 71.30.+h, 71.27.+a, 71.28.+d |
| PDF версия (185Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |