ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Образование нанодефектов в кристаллах LiF при гамма-облучении

М.А.Муссаева, Э.М.Ибрагимова, М.У.Каланов, М.И.Муминов

Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,
702132 Улугбек, Ташкент, Узбекистан
E-mail: mmukhtar@yandex.ru, ibragimova@inp.uz

(Поступила в Редакцию 16 января 2006 г.
В окончательной редакции 27 марта 2006 г.)

Изучены спектры поглощения и фотолюминесценции, микротвердость, а также проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов LiF, облученных гамма-излучением в остановленном реакторе и в источнике 60Co с мощностью дозы гамма-излучения 7.65 Gy/s. Кроме образования точечных и комплексных радиационных дефектов в подрешетке Li обнаружены индуцированные гамма-облучением наночастицы фазы LiOH размером 28 nm. Показано, что образование дефектов происходит более эффективно в остановленном реакторе, чем в источнике 60Co.

Работа выполнена по гранту ФПФИ АН РУ N 4-04.

PACS: 61.66.Fn, 61.80.Ed, 78.55.Fv

 PDF версия (256Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster