ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Реверсивная диэлектрическая проницаемость
фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика

В.В.Гладкий, В.А.Кириков, Е.С.Иванова, Т.Р.Волк

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
E-mail: glad@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 21 марта 2006 г.)

Исследована реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция, легированного La и Ce, без освещения и при освещении мощностью 0.22 mW/cm2. Измерения проницаемости проведены при одновременном воздействии на кристалл слабого переменного электрического поля частотой 1 MHz и медленно меняющегося периодического поля Eb с амплитудой в пределах ± 2.3 kV/cm. Показано, что освещение существенно увеличивает проницаемость, изменяет вид ее зависимости от величины поля Eb ликвидирует возможную униполярность кристалла, при этом значительно улучшается воспроизводимость значений проницаемости при повторных измерениях.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-17565 и частично проект N 06-02-16644).

PACS: 77.84.Dy, 77.22.Ch

 PDF версия (196Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster