ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа \glqq аномального\grqq оптического поглощения в ZnGeP2

В.Н.Брудный, В.Г.Воеводин *, С.Н.Гриняев

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
* Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
E-mail: brudnyi@mail.tsu.ru, gsn@phys.tsu.ru

(Поступила в Редакцию 21 ноября 2005 г.
В окончательной редакции 1 марта 2006 г.)

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки исследованы глубокие уровни одиночных вакансий и антиструктурных дефектов в соединении ZnGeP2. Проведено сравнение с соответствующими результатами для изоэлектронного аналога GaP. Показано, что за счет понижения симметрии решетки и анизотропии химической связи в ZnGeP2 происходят значительные расщепления вырожденных в GaP глубоких уровней. В частности, расщепление уровня VP0(t2) составляет 1.58 eV. Усредненные уровни дефектов в ZnGeP2 находятся в близком соответствии с уровнями дефектов в GaP. Вычислены коэффициенты поглощения в поляризованном свете с участием нейтральных и заряженных состояний дефектов, определены оптические переходы, вызывающие пики поглощения в инфракрасной области спектра ZnGeP2. Показано, что первые пики поглощения обусловлены переходами электронов на глубокие уровни VZn-1 и VP0 из состояний валентной зоны, находящихся в глубине зоны Бриллюэна, что приводит к существенному сдвигу (~0.3 eV) этих пиков в сторону больших энергий по сравнению с энергиями залегания глубоких уровней в запрещенной зоне относительно потолка валентной зоны. На основе анализа электронной плотности проведена согласованная интерпретация экспериментальных данных по фотоиндуцированным ЭПР-спектрам в постростовых и облученных электронами кристаллах ZnGeP2.

PACS: 61.72.Bb, 71.55.Ht, 81.05.Hd

 PDF версия (473Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster