| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Механизм формирования и электронные свойства тонкопленочной системы YbSi(100)
Д.В.Бутурович, Д.В.Вялых, М.В.Кузьмин, М.А.Митцев, С.Л.Молодцов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Fachrichtung Physik Technische Universitat Dresden,
D-01062 Dresden, Germany
E-mail: m.kuzmin@mail.ioffe.ru, m.mittsev@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 17 ноября 2005 г.
В окончательной редакции 23 января 2006 г.)
|
Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с применением синхротронного излучения, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и дифракции медленных электронов в широкой области покрытий при различных температурах исследованы процессы формирования и свойства тонкопленочной системы YbSi(100). Установлено, что формирование системы YbSi(100), полученной методом твердофазной эпитаксии, происходит по механизму, близкому к механизму СтранскогоКрастанова. Показано, что при субмонослойных покрытиях образуются в основном двумерные (2D) структуры и , а при более высоких степенях покрытия --- трехмерная пленка силицида Yb. Получены данные о морфологии и фазовом составе пленки силицида, электронном состоянии атомов Si и валентности атомов Yb в силициде и 2D-структурах, а также об атомном строении этих структур. Установлен компонентный состав Si -спектров при различных покрытиях. Выявлена взаимосвязь формы этих спектров, полученных для многослойных пленок силицида Yb, с фазовым составом последних. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027), Санкт-Петербургского научного центра РАН (инициативный проект N 2.3) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY II (Берлин, Германия). PACS: 68.35.Dv, 81.15.Np |
| PDF версия (434Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |