ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ формирования квантовых электронных состояний
в тонкой пленке Ag на Ni(111)

Б.В.Сеньковский\kern1pt*, А.Ю.Варыхалов\kern1pt*,**, А.М.Шикин\kern1pt*, В.К.Адамчук\kern1pt*, О.Радер\kern1pt**

* Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198904 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
** BESSY, D-12489 Berlin, Germany
E-mail: boris\_senk@mail.ru

(Поступила в Редакцию 27 декабря 2005 г.)

Экспериментально исследованы особенности спектра квантовых электронных состояний (КЭС) в процессе напыления пленки Ag на поверхность Ni(111), начиная от субмонослойных покрытий и до толщины 14 монослоев. Проведен сравнительный анализ поведения зависимостей изменения энергий квантовых состояний от толщины пленки в рамках различных моделей: простейшей модели потенциального ящика с бесконечными стенками; потенциального ящика с барьерами конечной высоты, а также на основании модели аккумуляции фазы при отражении электронной волны в рамках различных приближений. Показано, что по мере перехода от грубой модели бесконечного потенциального ящика к модели потенциального ящика с барьерами конечной высоты, а затем к классической фазовой модели улучшается соответствие между экспериментальными данными и теоретическими оценками. Однако наилучшего описания энергетического положения КЭС можно добиться, используя расширенную фазовую модель, учитывающую рассеяние электронных волн от границы с подложкой, в том числе и вне границ запрещенной зоны в электронной структуре подложки.

Работа выполнена в рамках программы ФУНЦ \glqq Индустрия наносистем и материалы\grqq (ИН-12, 1/008), ВНП \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq (раздел 3.9, код 4694) и грантов \glqq Университеты России\grqq (УР. 01.01.297) и РФФИ (03-02-04024).

PACS: 73.21.Fg, 73.63.Hs, 74.25.Jb

 PDF версия (451Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster