ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О диэлектрической проницаемости фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция

В.В.Гладкий, В.А.Кириков, Е.С.Иванова, Т.Р.Волк

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
E-mail: glad@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 20 декабря 2005 г.
В окончательной редакции 8 февраля 2006 г.)

Исследована диэлектрическая проницаемость varepsilon фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика Sr0.61Ba0.39Nb2O6, легированного La и Ce, без воздействия освещения и при освещении с интенсивностью до 0.22 W/cm2 в диапазоне длин волн 400-500 nm спектра поглощения кристалла. Измерения varepsilon проведены на частотах 1 kHz, 1 MHz, а также в смещающем постоянном поле 2 kV/cm при различных температурах. Обнаружено фотоиндуцированное увеличение varepsilon (фотодиэлектрический эффект), имеющее максимум в области температурного максимума диэлектрической проницаемости и пропорциональное интенсивности освещения. Обсуждаются особенности эффекта и возможное участие в нем процессов экранирования внутренних случайных неоднородных электрических полей фотоиндуцированными носителями заряда.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-17565).

PACS: 77.22.Ch, 77.84.Dy, 77.90.+k

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster