ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурное состояние слоев A3-нитридов, имплантированных ионами эрбия

Р.Н.Кютт, Н.А.Соболев, Г.Н.Мосина , Е.И.Шек

Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: rkyutt@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 27 декабря 2005 г.)

Методом рентгеновской дифракции изучена дефектная структура выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN и слоев GaN до и после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV и дозой 3·1015 cm-2, а также после отжига. В СР с общей толщиной больше глубины имплантации при температуре отжига выше 900oC пропадают сателлиты от деформированной части СР, возникшей в зоне действия ионов, т. е. радиационные дефекты, вызывающие положительную деформацию слоя, отжигаются. Однако полного восстановления исходного состояния не происходит даже после отжига при 1050oC, а остающиеся области с положительной деформацией обусловлены остаточными дефектами. Для образцов с тонкими СР, глубина локализации которых находится в области максимума радиационных нарушений, периодическая структура, исчезнувшая после имплантации с дозой 3·1015 cm-2, не восстанавливается даже после отжига при 1050oC, что следует из вида дифракционных кривых. Этот вывод подтверждается электронно-микроскопическими наблюдениями.

Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 03-02-16164), Президиумом РАН (Комплексная программа научных исследований Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq) и Отделением физических наук РАН (Научная программа \glqq Новые материалы и структуры\grqq).

PACS: 61.72.Dd, 61.72.Ff

 PDF версия (342Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster