ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Статистика электронов в полупроводниковых кристаллах CdF2 c DX-центрами

С.А.Казанский, А.И.Рыскин

Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова,
199034 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Kazanski@SK7936.spb.edu

(Поступила в Редакцию 13 декабря 2005 г.)

Степень компенсации и энергия ионизации двухэлектронных DX-центров в полупроводниках CdF2:In и CdF2:Ga определены при исследовании статистического распределения электронов на примесных уровнях. Резкая температурная зависимость концентрации нейтральных доноров для CdF2:Ga (в диапазоне температур T=250-400 K) объяснена высокой степенью компенсации K>=q 0.996. Таким образом, все ионы Ga, внедренные в кристаллическую решетку CdF2 при выращивании кристалла, образуют мелкие донорные уровни. Однако концентрация ионов Ga, которые способны образовать бистабильные DX-центры, весьма мала и близка к концентрации электронов, инжектированных в кристалл при аддитивном окрашивании. Экспериментальные данные для кристалла CdF2:In указывают на меньшую, чем для CdF2:Ga, но достаточно высокую степень компенсации и не свидетельствуют об ограниченном числе бистабильных DX-центров. Сделан вывод о формировании в полупроводниковом CdF2:Ga необычайно узкой примесной зоны. При общей концентрации заряженной примеси ~ 1020 cm-3 ширина примесной зоны в CdF2:Ga, по-видимому, не превышает ~ 0.02 eV.

Работа выполнена при поддержке Международного научно-технического центра (грант N 2136).

PACS: 71.20.Nr, 61.72.Ji

 PDF версия (208Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster