ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние дополнительной примеси Zn на вид спектров фотолюминесценции вюрцитных кристаллов GaN,
легированных редкоземельным ионом Eu

М.М.Мездрогина, В.В.Криволапчук

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: margaret.m@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 24 июня 2005 г.
В окончательной редакции 28 октября 2005 г.)

Введение дополнительной примеси Zn (ко-допанта) существенно увеличивает интенсивность излучения в коротковолновой области спектра в кристаллах GaN, легированных Eu. Существенное увеличение интенсивности излучения (lambda=400-450 nm) в кристаллах, имеющих p-тип проводимости, связано с излучением внутрицентровых f-f-переходов, характерных для иона Eu3+. Для кристаллов n-GaN с большой степенью компенсации мелкими примесями дополнительное легирование Zn приводит лишь к увеличению интенсивности донорно-акцепторной полосы (полосы DAR).

Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

PACS: 78.55.-m, 78.55.Cr, 71.35.-y

 PDF версия (189Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster