ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические токи, обусловленные волнами пространственного заряда в высокоомных полупроводниках

В.В.Брыксин, М.П.Петров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vvb@mail.ioffe.ru
mpetr.shuv@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 9 сентября 2005 г.)

Теоретически рассмотрены токи в высокоомных полупроводниках, обусловленные выпрямлением волн пространственного заряда. Наибольшее внимание уделено ситуации, когда низка эффективная концентрация ловушек. Показано, что при этом инверсный закон дисперсии волн перезарядки ловушек изменяется на линейный, а дрейфовые волны перестают существовать. В кристаллах с биполярной проводимостью возникают две моды волн перезарядки ловушек с линейным законом дисперсии. Полученные соотношения для постоянного и переменного токов описывают неизвестные ранее зависимости токов от концентрации ловушек, подвижности и времени жизни носителей, волнового числа волн пространственного заряда и величины приложенного электрического поля.

Работа была выполнена в рамках программы Президиума РАН П-28.

PACS: 72.10.-d, 73.50.-h, 71.45.Lr

 PDF версия (167Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster