ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы возникновения и релаксации самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках

В.П.Афанасьев, И.П.Пронин\kern1pt*, А.Л.Холкин\kern1pt**

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Университет Авейро, Авейро, Португалия
E-mail: petrovich@mail.ioffe.ru

Обсуждается природа и механизмы возникновения самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках в процессе формирования тонкопленочной конденсаторной структуры и ее релаксации под воздействием электрического поля, температуры и освещения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16738) и Федерального агенства по образованию РФ (проект N 75112).

PACS: 77.22.Ej, 77.84.Dy

 PDF версия (263Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster