ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir

В.П.Афанасьев, П.В.Афанасьев, И.В.Грехов\kern1pt*, Л.А.Делимова\kern1pt*, С.-П.Ким\kern1pt**, Ю.-М.Коо\kern1pt**,
Д.В.Машовец\kern1pt*, А.В.Панкрашкин, Я.Парк\kern1pt**, А.А.Петров, С.Шин\kern1pt**

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет << ЛЭТИ>>,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Институт передовых технологий Самсунга,
Суон 440-600, Корея
E-mail: VPAfanasiev@eltech.ru

Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом электронной Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и после старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов.

Работа выполнена при финансовой поддержке Института передовых технологий Самсунга и Федерального агенства по образованию РФ в рамках программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq 2005 года (проект N 75122).

PACS: 85.50.-n, 82.80.Pv

 PDF версия (270Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster