ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности нестационарного фототока короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6

А.А.Богомолов, А.В.Солнышкин, Д.А.Киселев, И.П.Раевский *, Н.П.Проценко *, Д.Н.Санджиев *

Тверской государственный университет,
170002 Тверь, Россия
* Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета,
344090 Ростов-на-Дону, Россия
E-mail: Alexsey.Bogomolov@tversu.ru

Представлены результаты исследований нестационарного фототока короткого замыкания пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 в области температур, включающей точку фазового перехода, также рассматривается влияние внешнего электрического поля и подсветки белым светом на фотоэлектрический отклик образцов.

Работа выполнена в рамках программы Минобразования РНП 2.1.1.3674 и при финансовой поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-90568 ННС\_а).

PACS: 72.40.+w, 77.70.+a

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster