ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл

Л.Делимова, И.Грехов, Д.Машовец, С.Шин *, Ю.-М.Коо *, С.-П.Ким *, Я.Парк *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт передовых технологий Самсунга,
Суон 440-600, Корея
E-mail: ladel@mail.ioffe.ru

Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода.

Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН \glqq Незкоразмерные квантовые структуры\grqq, РАН \glqq Физика конденсированных сред\grqq и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2.

PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At

 PDF версия (221Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster