ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT

Р.А.Лалетин, А.И.Бурханов, Л.В.Жога, А.В.Шильников, А.С.Сигов *, К.А.Воротилов *

Волгоградский архитектурно-строительный университет,
400074 Волгоград, Россия
* Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет),
119454 Москва, Россия
E-mail: postmaster@vgasa.ru

Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту --- наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G.

Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений.

Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Ведущие научные школы\grqq (НШ-1514.2003.2).

PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs

 PDF версия (105Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster