ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля

А.И.Никишина, С.Н.Дрождин, О.М.Голицына

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

Исследована релаксация структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата (ТГС), неравновесное состояние которой создавалось быстрым охлаждением через точку фазового перехода, полевым и термическим воздействием. Выявлена роль внутреннего поля в процессах релаксации доменной структуры к равновесному состоянию в дефектных кристаллах ТГС.

Работа выполнена при поддержке фонда CRDF (грант VZ-010).

PACS: 77.80.Dy, 77.84.Fa, 77.80.Bh

 PDF версия (136Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster