ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Управление величинами температурного гистерезиса
и размытия диэлектрической аномалии в области сегнето-антисегнетоэлектрического фазового перехода
в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05)

Ю.Н.Захаров, С.И.Раевская, В.З.Бородин, В.Г.Кузнецов, И.П.Раевский

Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете,
344090 Ростов-на-Дону, Россия
E-mail: zakharov@ip.rsu.ru

Установлена возможность обратимо изменять величины температурного гистерезиса и размытия диэлектрической аномалии, соответствующей переходу между антисегнетоэлектрической (АСЭ) и сегнетоэлектрической (СЭ) фазами в керамике PbZr1-xTixO3 (0.03=< x=<0.05) варьированием температур нагрева и охлаждения в ходе термоциклирования. Полученные результаты свидетельствуют о том, что АСЭ-СЭ переход в PbZr1-xTixO3 является размытым фазовым переходом первого рода.

Работа выполнена при частичной поддержке грантов Министерства образования РФ (А04-2.9-889) и РФФИ (05-02-90568 ННС\_а).

PACS: 77.80.Dj, 77.84.Dy

 PDF версия (78Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster