Показано, что в результате кратковременного высокотемпературного отжига кристаллов ZnS в атмосфере цинка происходит быстрая диффузия Zn по дислокационным трубкам вдоль линий ростовых дислокаций. При этом примесные ионы двухвалентного хрома, локализованные в атмосферах Коттрелла вне областей ридовских цилиндров, становятся стабильно однократно ионизованными. Пластическая деформация таких кристаллов ZnS и электрический ток при напряжениях больше порогового приводят к уменьшению количества ионов одновалентного хрома. Это объясняется увеличением радиуса ридовских цилиндров, происходящим в процессе выхода ростовых дислокаций из атмосфер Коттрелла, и возрастанием линейной плотности их электрического заряда.

PACS: 76.30.Lh, 61.72.Hh