ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование основных закономерностей формирования
массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом
магнетронного осаждения

И.П.Сошников *,**, Г.Э.Цырлин *,**,***, В.Г.Дубровский *,**, А.В.Веретеха ****,
А.Г.Гладышев *, В.М.Устинов *,**

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Научно-образовательный комплекс \glqq Санкт-Петербургский физико-технический
научно-образовательный центр Российской академии наук\grqq,
195220 Санкт-Петербург, Россия
*** Институт аналитического приборостроения,
198103 Санкт-Петербург, Россия
**** Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 26 июля 2005 г.)

Показана возможность получения массивов нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs с плотностью до 109 cm-2 и характерными размерами от 300 до 10 000 nm в высоту и в поперечнике от 200 до 10 nm и менее у вершины. Характерная высота ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально поперечному размеру вершины. Изучено влияние скорости осаждения, температуры и кристаллографической ориентации подложки. На основе анализа полученных зависимостей размеров делается вывод о диффузионном механизме формирования ННК.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований.

PACS: 61.46.Hk, 81.05.Ea, 81.07.Bc, 81.15.Cd

 PDF версия (267Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster