ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Усиление магниторефрактивного эффекта в магнитофотонных кристаллах

Ю.В.Борискина, С.Г.Ерохин, А.Б.Грановский, А.П.Виноградов\kern1pt*, M.Inoue\kern1pt**

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Институт теоретической и прикладной электродинамики,
Объединенный институт высоких температур Российской академии наук,
125412 Москва, Россия
** Toyohashi University of Technology,
Toyohashi 441-8580, Japan
E-mail: j\_boriskina@mail.ru

(Поступила в Редакцию 10 февраля 2005 г.
В окончательной редакции 1 июля 2005 г.)

В рамках компьютерного эксперимента рассмотрен магниторефрактивный эффект в одномерном магнитофонном кристалле, точнее, в фотонном кристалле (ФК) (SiO2/Ta2O5), содержащем встроенный дефект в виде тонкого слоя магнитного нанокомпозита Co--(Al--O). Найдено строение элементарной ячейки ФК, при котором основная энергия поля сосредоточена в ближайших к дефекту ячейках ФК, что позволяет повысить добротность дефект-моды и за счет многократного прохождения света по дефекту увеличить магниторефрактивный эффект более чем на порядок по сравнению с тонкой пленкой на подложке и на два порядка по сравнению с толстыми пленками. При этом коэффициент отражения таких структур при приложении магнитного поля может достигать 60%.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16127 и 04-02-16830), гранта Ведущие научные школы НШ. 1694.2003.02, программы \glqq Университеты России\grqq и Фонда некоммерческих программ \glqq Династия\grqq и МЦФФМ.

PACS: 42.70.-a, 78.20.Ls

 PDF версия (211Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster