ФТТ, 2006, том 48, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансы выхода атомов цезия при электронно-стимулированной десорбции с вольфрама, покрытого монослоем германия

В.Н.Агеев, Ю.А.Кузнецов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: kuznets@ms.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 12 мая 2005 г.)

Измерены выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом тонкой пленкой германия (толщиной 1--2 монослоя), в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Измерения выполнены времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации. В области малых покрытий цезия Theta<0.1 порог появления выхода атомов Cs при температуре подложки T=160 K составляет ~24 eV, что коррелирует с энергией ионизации уровня Cs 5s. С ростом энергии электронов выход проходит через широкое плато и достигает насышения. Интенсивность сигнала в области плато постепенно уменьшается с ростом покрытия цезия и при Theta>0.14 стремится к нулю. При Theta>=q 0.15 порог появления выхода атомов Cs смещается к ~30 eV, что соответствует энергии ионизации уровня  Ge 3d, а плато заменяется резонансным пиком с максимумом при ~38 eV, который соответствует энергии ионизации уровня W 5p3/2. Этот пик наблюдается только при Theta<0.3 и T=160 K. При Theta>=q0.3 появляется резонансный пик при ~ 50 eV, а при Theta>=q 0.5 --- резонансный пик при ~ 80 eV. Положение этих пиков коррелирует с энергиями ионизации уровней W 5p1/2 и W 5s, а их интенсивность максимальна при Theta=1. Энергораспределения атомов Cs при Theta<0.15 состоят из колоколообразного пика с максимумом при ~0.55 eV, а энергораспределения при Theta>=q0.15 содержат два почти разрешенных пика: широкий с максимумом при ~0.5 eV и узкий с максимумом при ~0.35 eV. Полученные результаты свидетельствуют, что существуют три канала десорбции атомов Cs. Один канал связан с реверсивным движением иона Cs+2, другой --- с нейтрализацией адсорбированного иона Cs+ после Оже-распада вакансии в атоме Ge, третий --- с десорбцией молекулы CsGe в результате ее отталкивания от остовного экситона W.

Авторы признательны Российскому фонду фундаментальных исследований за частичную поддержку работы (грант N 03-02-17523).

PACS: 68.43.Rs, 68.47.De, 79.20.La

 PDF версия (225Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster