ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дефектная структура и процессы электропроводности монокристаллов Pb5Ge3O11 при высоких температурах

В.М.Дуда, А.И.Баранов*, А.С.Ермаков, Р.С.Т.Слэйд**

Днепропетровский национальный университет,
49050 Днепропетровск, Украина
* Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
117333 Москва, Россия
** Университет г. Саррей,
GU27XH Гуилфорд, Великобритания
E-mail: duda@ff.dsu.dp.ua

(Поступила в Редакцию 15 марта 2005 г.
В окончательной редакции 26 апреля 2005 г.)

Приведены результаты измерений спектров импеданса монокристаллов Pb5Ge3O11 в частотном диапазоне 5-1.3· 107 Hz в интервале температур 600-800 K в различных атмосферах: сухом воздухе, сухом и влажном азоте. Обнаружено существенное влияние температуры и состава атмосферы на электрофизические характеристики этого материала. На основе полученных данных обсуждаются природа дефектов кристаллической решетки и их влияние на процессы переноса заряда. Сделано заключение о смешанном (ионном по кислороду и дырочном) характере электропроводности. Экспериментально показана возможность получения протонной проводимости. Обсуждаются возможные механизмы транспорта протонов в кристаллической решетке Pb5Ge3O11.

Работа выполнена при финансовой поддержке INTAS (грант N 93-0913).

PACS: 61.72.Ji, 66.30.Hs, 78.80.Jc

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster