| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Применение метода каналирования заряженных частиц в кристаллах для исследования сплавов MoRe
Н.П.Дикий, Т.А.Игнатьева
Национальный научный центр \glqq Харьковский физико-технический институт\grqq
Национальной академии наук Украины,
61108 Харьков, Украина
E-mail: ndikiy@kipt.kharkov.ua
(Поступила в Редакцию 24 февраля 2005 г.
В окончательной редакции 22 апреля 2005 г.)
|
Методом каналирования гелия с энергией 1.8 MeV исследована кристаллическая структура сплавов MoRe в той области концентраций, где ранее наблюдался электронно-топологический переход по особенностям сверхпроводящих и нормальных свойств. Для сплавов с концентрацией примеси 11 at.% Re и 32 at.% Re наблюдалась особенность в виде дополнительного максимума на полуширине ориентационной зависимости выхода пучка отраженных частиц от угла относительно кристаллографического направления при . Предполагается, что наблюдаемая особенность связана с появлением сверхструктуры, которая является следствием электронно-топологического перехода в сплавах MoRe. PACS: 61.18.Bn, 61.85.+p |
| PDF версия (303Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |