| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Магнетосопротивление эпитаксиальных пленок LaSrMnO, выращенных на подложке с малым рассогласованием в параметрах кристаллических решеток
Ю.А.Бойков, Т.Клаесон, В.А.Данилов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Чалмерский технический университет,
S-41296 Гетеборг, Швеция
E-mail: yu.boikov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 28 января 2005 г.)
|
Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление гетероэпитаксиальных пленок (120 nm) LaSrMnO, практически недеформированных подложкой. Резкий максимум отрицательного магнетосопротивления % ( T) наблюдался при K. MR монотонно уменьшалось с температурой, но и при 150 K превышало 2%. При K температурная зависимость электросопротивления пленок LaSrMnO хорошо аппроксимировалась соотношением , где cm, cm/K, а . Определена температурная зависимость параметра , характеризующего интенсивность подавления магнитным полем ( T) электросопротивления ферромагнитной фазы пленок LaSrMnO. Исследования проводились в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Финансовая поддержка работы частично получена в рамках проекта 9Б19 программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq и проекта N 04-02-16212-a Российского фонда фундаментальных исследований. |
| PDF версия (324Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |