ФТТ, 2005, том 47, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические свойства полупроводника в экситонной области спектра в условиях действия мощного импульса накачки в области M-полосы

П.И.Хаджи, Л.Ю.Надькин

Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко,
МД 3300 Тирасполь, Молдавия
E-mail: tdsu4@idknet.com
Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,
МД 2800 Кишинев, Молдавия

(Поступила в Редакцию 9 февраля 2005 г.)

Исследовано поведение диэлектрической восприимчивости полупроводника при зондировании экситонного состояния фононами слабого импульса в присутствии мощного лазерного импульса в области M-полосы люминесценции CuCl. Показано, что имеет место ярко выраженный эффект Аутлера--Таунса на экситонном переходе. Положение пиков поглощения существенно определяется амплитудой и частотой поля накачки.

 PDF версия (404Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster