ФТТ, 2005, том 47, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

И.П.Сошников\kern1pt*,**, Г.Э.Цырлин\kern1pt*,**,***, А.А.Тонких\kern1pt**,***, Ю.Б.Самсоненко\kern1pt*,**, ***, В.Г.Дубровский\kern1pt*,**,
В.М.Устинов\kern1pt*,**, О.М.Горбенко\kern1pt***, D.Litvinov\kern1pt****, D.Gerthsen\kern1pt****

* Научно-образовательный комплекс \glqq Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук\grqq,
195220 Санкт-Петербург, Россия
** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
*** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
**** Technical University of Karlsruhe,
D-76128 Karlsruhe, Germany
E-mail: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 28 декабря 2004 г.)

Проведено исследование структурных свойств нитевидных нанокристаллов GaAs и Al0.3Ga0.7As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрировано образование в исследуемых материалах гексагональных структур типа вюрцит и 4H-политип с характерными размерами до 100 nm и более. Сделан вывод о влиянии на образование гексагональной структуры симметрии активационного сплава Au--Ga.

Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований.

Г.Э.Ц. выражает признательность Alexander von Humboldt Schtiftung, A.A.T. благодарит Deutsche Forschungsgemeinschaft.

 PDF версия (244Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster