ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные свойства кремния с германиевыми кластерами ультрамалых размеров

В.Н.Брудный, С.Н.Гриняев, А.В.Двуреченский *

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета,
634050 Томск, Россия
* Институт физики полупроводников Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: brudnyi@ic.tsu.ru

(Поступила в Редакцию 30 декабря 2004 г.)

Методом псевдопотенциала исследованы электронные состояния Si с периодическим массивом \glqq сферических\grqq германиевых кластеров. Проведен анализ эффектов размерного квантования в энергиях и волновых функциях локализованных кластерных состояний. Показано, что кластеры размером до 2.4 nm создают одно локализованное s-состояние, энергия которого с ростом размеров кластеров монотонно сдвигается в глубь запрещенной зоны Si. Волновая функция кластерного уровня обнаруживает характер, свойственный однодолинному приближению метода эффективной массы. В приближении резкооборванного на гетерогранице потенциала метод эффективной массы дает близкие к псевдопотенциальному расчету результаты для кластеров, содержащих более 200 атомов Ge. Для кластеров меньших размеров необходим учет плавного интерфейсного потенциала.

Работа выполнена при поддержке программ \glqq Университеты России\grqq (грант N УР 01.01.055) и Минобразования РФ по фундаментальным исследованиям в области естественных и точных наук на 2003--2004 гг. (грант N Е02-3.4-365).

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster