ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимодействие атомов кобальта с окисленной
поверхностью Si(100)2x1

М.В.Гомоюнова, И.И.Пронин, Д.Е.Малыгин, Н.Р.Галль, Д.В.Вялых\kern1pt*, С.Л.Молодцов\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, Technische Universitat Dresden,
D-01062 Dresden, Germany
E-mail: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 17 января 2005 г.)

Методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней с использованием синхротронного излучения изучены начальные стадии окисления поверхности Si(100)2x 1 и взаимодействие с ней атомов кобальта. Исследование выполнено в области покрытий кобальта до 8 ML. Компьютерное моделирование спектров фотовозбужденных электронов позволило выявить эффект проникновения атомов Co под окисный слой кремния, который наблюдается даже при комнатной температуре. Показано, что этот процесс приводит к исчезновению интерфейсных фаз кремния на границе окисный слой/кремний и появлению более сложной фазы с участием атомов Co, O и Si. После завершения ее формирования в области межфазовой границы образуется твердый раствор Co--Si.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-17651) и двусторонней программы \glqq Российско-германская лаборатория на BESSY\grqq.

 PDF версия (385Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster