ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование \glqq из первых принципов\grqq энергетических характеристик и магнитных свойств точечных дефектов в GaAs

В.И.Байков *,**, Э.И.Исаев *, П.А.Коржавый **, Ю.Х.Векилов *, И.А.Абрикосов ***

* Московский государственный институт стали и сплавов,
119049 Москва, Россия
** Королевский технологический институт,
SE-100 44 Стокгольм, Швеция
*** Университет Линчепинга,
SE-581 83 Линчепинг, Швеция
E-mail: eyvaz\_isaev@yahoo.com

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 28 февраля 2005 г.)

Энергии образования собственных точечных дефектов и энергии растворения примесей переходных металлов в арсениде галлия определены на основе ab initio расчетов с использованием метода локально самосогласованной функции Грина, являющегося обобщением приближения когерентного потенциала. На основе рассчитанных энергий сделан вывод о том, что антиструктурный дефект AsGa является наиболее распространенным собственным дефектом в GaAs. Расчеты показали, что примеси переходных металлов, за исключением Ni предпочтительно замещают галлиевые узлы. Рассчитаны магнитные моменты примесных атомов в зависимости от химического окружения. Показано, что атомы Mn имеют тенденцию к образованию кластеров в скомпенсированном GaAs.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16823), Королевской Шведской академии наук и шведских исследовательских фондов (VR, SSF).

 PDF версия (157Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster