ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты

В.И.Вдовин\kern1pt*, П.Вернер\kern1pt**, Н.Д.Захаров\kern1pt**, Д.В.Денисов, Н.А.Соболев, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт химических проблем микроэлектроники,
119017 Москва, Россия
** Институт физики микроструктур им. Макса Планка,
Халле/Саале, Германия
E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 29 ноября 2004 г.)

C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4--25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой--подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях {111} и распространяющиеся по всей толщине слоя.

Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster