ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К вопросу о роли вакансий в образовании пор при анодизации SiC

М.Г.Мынбаева, Д.А.Бауман, К.Д.Мынбаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: mgm@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 12 октября 2004 г.)

Проведен анализ экспериментальных данных по получению стехиометрического нанопористого карбида кремния. На основании предположения о диффузионно-вакансионном механизме формирования нанопор выполнен расчет, результаты которого подтверждают, что формирование пор со стабильным радиусом в десятки нанометров в SiC может быть обусловлено диффузией и кластеризацией вакансий. Обсуждаются результаты экспериментов, указывающие на возможность установления связи между предложенным механизмом формирования нанопористого карбида кремния и известной из литературы моделью формирования пористого SiC с волоконной структурой. Такая связь может быть установлена в предположении первичности образования нанопор и трансформации нанопористой структуры в волоконную путем инициирования растворения материала в электролите.

Работа выполнена при поддержке гранта NICOP N 00014-01-1-0828.

 PDF версия (199Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster