ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN

В.В.Криволапчук, В.В.Лундин, М.М.Мездрогина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru, margaret.m@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 26 июля 2004 г.
В окончательной редакции 9 ноября 2004 г.)

На основании анализа эволюции времяразрешенных спектров фотолюминесценции впервые удалось экспериментально наблюдать коррелированное влияние встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний на формирование излучения в квантовых ямах на основе нитридов III группы. Показано, что исследование времяразрешенных спектров фотолюминесценции позволяет классифицировать светодиодные структуры для их использования в коммерческих целях.

Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

 PDF версия (307Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster