| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Исследование структурных свойств и токового транспорта в нанокомпозите, сформированном на поверхности кремния посредством окисления пористого слоя
Л.М.Сорокин, Л.В.Григорьев, А.Е.Калмыков, В.И.Соколов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
E-mail: aekalm@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 26 августа 2004 г.)
|
Показана принципиальная возможность создания нанокомпозитного слоя Si--SiO путем окисления пористого кремния. Полученный при этом нанокомпозит состоит из оксида кремния с включениями кристаллического кремния в виде округлых частиц с размером в интервале 5--30 nm и нитевидной сетчатой структуры с толщиной нитей порядка нескольких нанометров. Измерены ВАХ полученных структур для различных случаев возбуждения образца (фото- и термостимуляция). Оценены величины концентрации ловушек и эффективной подвижности носителей. Выявлено наличие сильного захвата носителей заряда на ловушки, обусловленные развитым интерфейсом в структуре композита. Работа выполнена при поддержке программы ОФH РАН \glqq Новые материалы и структуры\grqq. |
| PDF версия (194Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |