| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов
М.Д.Глинчук, В.Я.Зауличный, В.А.Стефанович
Институт проблем материаловедения,
03142 Киев, Украина
Институт математики и информатики, Университет Ополе,
45-052 Ополе, Польша
E-mail: zaulychny@ukr.net,
(Поступила в Редакцию 16 августа 2004 г.)
|
В рамках феноменологической теории Гинзбурга--Ландау рассмотрено влияние металлических электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. Вклад электродов, отличающихся длиной экранирования носителей , включен в функционал свободной энергии. Проведены расчеты критической температуры , критической толщины пленки и критической длины экранирования электрода, приводящих к переходу из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу. Использование прямого вариационного метода для решения уравнения Эйлера--Лагранжа для поляризации показало возможность расчета свойств пленки на основе минимизации свободной энергии обычного вида, но с коэффициентом при , который зависит не только от температуры, но и толщины пленки, поверхностных и корреляционных эффектов, а также от характеристик электродов. Расчеты поляризации, диэлектрической восприимчивости, пироэлектрического коэффициента, а также поля деполяризации показали, что сегнетоэлектрическая фаза пленки может быть разрушена выбором материала электродов с длиной экранирования, превышающей некоторое критическое значение, т. е. имеет место индуцированный электродами фазовый переход из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу. Полученные количественные критерии показали, что выбор типа электродов для тонких сегнетоэлектрических пленок позволяет управлять фазовым состоянием и свойствами этих пленок. |
| PDF версия (285Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |