ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов

М.Д.Глинчук, В.Я.Зауличный, В.А.Стефанович *

Институт проблем материаловедения,
03142 Киев, Украина
* Институт математики и информатики, Университет Ополе,
45-052 Ополе, Польша
E-mail: zaulychny@ukr.net,
 

(Поступила в Редакцию 16 августа 2004 г.)

В рамках феноменологической теории Гинзбурга--Ландау рассмотрено влияние металлических электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. Вклад электродов, отличающихся длиной экранирования носителей ls, включен в функционал свободной энергии. Проведены расчеты критической температуры Tcl, критической толщины пленки и критической длины экранирования электрода, приводящих к переходу из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу.

Использование прямого вариационного метода для решения уравнения Эйлера--Лагранжа для поляризации P показало возможность расчета свойств пленки на основе минимизации свободной энергии обычного вида, но с коэффициентом при P2, который зависит не только от температуры, но и толщины пленки, поверхностных и корреляционных эффектов, а также от характеристик электродов. Расчеты поляризации, диэлектрической восприимчивости, пироэлектрического коэффициента, а также поля деполяризации показали, что сегнетоэлектрическая фаза пленки может быть разрушена выбором материала электродов с длиной экранирования, превышающей некоторое критическое значение, т. е. имеет место индуцированный электродами фазовый переход из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу. Полученные количественные критерии показали, что выбор типа электродов для тонких сегнетоэлектрических пленок позволяет управлять фазовым состоянием и свойствами этих пленок.

 PDF версия (285Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster