ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Многостадийное радиационно-стимулированное изменение микротвердости монокристаллов Si, инициируемое малоинтенсивным beta-облучением

Ю.И.Головин, А.А.Дмитриевский, Н.Ю.Сучкова, М.В.Бадылевич *

Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина,
392622 Тамбов, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: dmitr2002@tsu.tmb.ru

(Поступила в Редакцию 6 августа 2004 г.)

-1 Исследованы радиационно-индуцированные и пострадиационные изменения микротвердости монокристаллов кремния, возникающие в результате облучения слабоинтенсивным (I=9·105 cm-2·s-1) потоком beta-частиц (W=0.20+0.93 MeV). Обнаружено характерное время облучения tauc=75 min, при котором наблюдается инверсия знака радиационно-пластического эффекта: облучение в течение tau<tauc приводит к немонотонному обратимому упрочнению, а в течение tau>tauc --- к немонотонному обратимому разупрочнению. Показана корреляция немонотонных зависимостей микротвердости и концентрации электрически активных дефектов с акцепторными уровнями Ec-0.11 eV, Ec-0.13 eV и Ec-0.18 eV от времени облучения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17571, 02-02-17024), а также программы \glqq Университеты России\grqq (грант N У.Р.01.01.013).

 PDF версия (196Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster