| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Многостадийное радиационно-стимулированное изменение микротвердости монокристаллов Si, инициируемое малоинтенсивным -облучением
Ю.И.Головин, А.А.Дмитриевский, Н.Ю.Сучкова, М.В.Бадылевич
Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина,
392622 Тамбов, Россия
Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: dmitr2002@tsu.tmb.ru
(Поступила в Редакцию 6 августа 2004 г.)
|
-1 Исследованы радиационно-индуцированные и пострадиационные изменения микротвердости монокристаллов кремния, возникающие в результате облучения слабоинтенсивным ( cm) потоком -частиц ( MeV). Обнаружено характерное время облучения min, при котором наблюдается инверсия знака радиационно-пластического эффекта: облучение в течение приводит к немонотонному обратимому упрочнению, а в течение --- к немонотонному обратимому разупрочнению. Показана корреляция немонотонных зависимостей микротвердости и концентрации электрически активных дефектов с акцепторными уровнями eV, eV и eV от времени облучения. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17571, 02-02-17024), а также программы \glqq Университеты России\grqq (грант N У.Р.01.01.013). |
| PDF версия (196Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |