ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием

В.В.Криволапчук, Ю.В.Кожанова *, В.В.Лундин, М.М.Мездрогина, С.Н.Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru, margaret.m@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 26 июля 2004 г.
В окончательной редакции 9 ноября 2004 г.)

Исследовались кристаллы GaN, полученные методами МОС-гидридного и газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе. Тулий вводился с помощью диффузии. Показано, что в полупроводниковой матрице GaN редкоземельный ион Tm играет роль акцептора при наличии в нелегированных кристаллах дефектов, образующих глубокие уровни. Наблюдались внутрицентровые f-f-переходы, характерные для Tm в коротковолновой и длинноволновой областях спектра. Интенсивность излучения в коротковолновой области спектра больше в кристаллах, полученных методом газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе.

Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster