ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Флуктуационная модель высокочастотной прыжковой электропроводности умеренно компенсированных
полупроводников с водородоподобными примесями

Н.А.Поклонский, С.А.Вырко, А.Г.Забродский*

Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: poklonski@bsu.by

(Поступила в Редакцию 20 октября 2004 г.)

Разработана модель, согласно которой прыжок электрона (или дырки) между двумя водородоподобными донорами (или акцепторами) происходит лишь при выравнивании их энергетических уровней за счет тепловых и/или электростатических флуктуаций в легированном кристалле. Считается, что основной вклад в действительную часть высокочастотной прыжковой электропроводности вносят пары акцепторов, время туннелирования дырки внутри которых равно половине периода внешнего электрического поля и совпадает с ним по фазе. Тогда мнимая и действительная части прыжковой электропроводности примерно равны. Приведено сравнение расчетов по предложенной модели с экспериментальными данными для p-Ge : Ga с промежуточной степенью компенсации основной легирующей примеси.

Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант N Ф01-199), Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 04-02-16587) и грантом Президента Российской федерации (НШ-2223.2003.02).

 PDF версия (213Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster