ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные исследования монокристаллов Si1-xGex рентгенодифракционными методами

Т.С.Аргунова, М.Ю.Гуткин *, А.Г.Забродский, Л.М.Сорокин, А.С.Трегубова,
М.П.Щеглов, Н.В.Абросимов **, J.H.Je ***, J.M.Yi ***

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт проблем машиноведения Российской академии наук,
199178 Санкт-Петербург, Россия
** Institute of Crystal Growth,
12489 Berlin, Germany
*** Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology,
790-784 Pohang, Korea

(Поступила в Редакцию 14 октября 2004 г.)

Исследованы дефекты кристаллической структуры в монокристаллах твердых растворов Si1-xGex, 1-9 at.% Ge, выращенных методом Чохральского. Исследование проведено методами рентгеновской дифракционной топографии на лабораторном и синхротронном источниках излучения, рентгеновской дифрактометрией, а также синхротронной фазовой радиографией. Во всех исследованных кристаллах независимо от концентрации Ge наблюдались примесные полосы (полосы роста). Было показано, что увеличение концентрации Ge в интервале 7-9 at.% приводило к зарождению и скольжению дислокаций по нескольким системам кристаллографических плоскостей и образованию полос скольжения. В местах пересечения полос скольжения наблюдались области с локальной блочной структурой. Наиболее вероятной причиной образования полос скольжения было неоднородное распределение Ge как по диаметру слитка, так и по оси роста. Таким образом, структурное качество монокристаллов твердых растворов Si1-xGex может быть улучшено путем повышения степени однородности их состава.

Работа выполнена в рамках программы \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq Президиума РАН (6.3).

 PDF версия (274Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster