ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия проводимости и локализации носителей заряда в монокристаллах TlInTe2

Ф.Н.Абдуллаев, Т.Г.Керимова, Н.А.Абдуллаев

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ-1143 Баку, Азербайджан
E-mail: farhad@azintex.com

(Поступила в Редакцию 1 октября 2004 г.)

Проанализированы температурные зависимости удельного сопротивления цепочечного полупроводника TlInTe2 в направлении цепочек и перпендикулярно им. Показано, что в рассмотренном температурном интервале на обеих зависимостях можно выделить два участка: в высокотемпературной области доминирует проводимость термовозбужденных примесных носителей заряда по разрешенной зоне, а в более низкой области температур проводимость осуществляется посредством прыжков носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми. Определена энергия активации примесной проводимости. Оценены радиусы локализации и плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, разброс по энергии этих состояний, средние расстояния прыжков носителей заряда при различных температурах.

 PDF версия (169Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster