ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрический пробой твердых диэлектриков

Г.А.Воробьев, С.Г.Еханин, Н.С.Несмелов

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники,
634050 Томск, Россия
E-mail: gemma@main.tusur.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 12 октября 2004 г.)

Изложены представления о механизме электрического пробоя твердых диэлектриков (ЭПТД), сформированные авторами в течение многолетних исследований. Показано, что при ЭПТД протекает ряд взаимообусловленных предпробивных процессов: высоковольтная поляризация, дефектообразование, ударное возбуждение и ударная ионизация электронами центров свечения и ионов основной кристаллической решетки и др. Спусковым механизмом ЭПДТ являются процессы электро- и термополевой генерации дефектов в кристалле, которые ведут к образованию дефектных областей и созданию каналов облегченного переноса носителей заряда. Электронные токи (а также ускорение электронов электрическим полем до энергий, достаточных для ударной ионизации) протекают именно в этих областях кристалла с деформированной дефектами кристаллической решеткой. Поэтому известные подходы к построению теории пробоя ЩГК и других твердых кристаллических диэлектриков, базирующиеся на анализе движения и ускорения электронов в идеальной кристаллической структуре твердого тела, представляются некорректными.

 PDF версия (130Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster