ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в сильно легированном арсениде галлия

С.А.Борисов, С.Б.Вахрушев, А.А.Набережнов, Н.М.Окунева

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: alex.nabereznov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 28 июня 2004 г.)

Представлены результаты исследования температурной зависимости формы линии неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в GaAs, сильно легированном Te, в интервале температур от 363 до 253 K. Показано, что легирование теллуром (при концентрации носителей Ne~ 2· 1018 cm-3) приводит к появлению дополнительного вклада в рассеяние в области TA фононных резонансов со стороны высоких энергий при значениях приведенного волнового вектора q<0.1a*. Ниже 320 K наблюдается резкий рост интенсивности этой дополнительной компоненты, а ниже 273 K основной TA пик и дополнительное плечо практически полностью сливаются. Полагаем, что дополнительное рассеяние связано с индуцированной дефектами модой, которая может быть ответственна за наблюдаемые аномалии физических свойств в этом кристалле.

Настоящая работа проводилась при поддержке гранта президента РФ НШ-2168.2003.2 Программы ОФН РАН, Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16695) и CRDF RP1-2361-ST-02.

 PDF версия (267Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster