Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии получены электролюминесцентные диодные структуры на основе Si : Er, эффективно излучающие в диапазоне 1.5 $$mum в режиме пробоя $p-n$-перехода при комнатной температуре. Для структур, излучающих в режиме смешанного пробоя и обнаруживающих максимальные интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er$3+$, определены эффективное сечение возбуждения ионов  Er$3+$ горячими носителями, разогреваемыми электрическим полем обратно смещенного $p-n$-перехода, и время жизни ионов  Er$3+$ в первом возбужденном состоянии $4I$_13/2.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-16773, 04-02-17120), INTAS (N 03-51-6468).