Обсуждаются возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) легированных эрбием кремниевых слоев на сапфировой подложке для оптоэлектронных приложений. Преимущество этого метода --- относительно низкие температуры роста слоев. Показано, что с применением СМЛЭ можно выращивать кремниевые слои приемлемого кристаллического качества. Продемонстрировано влияние температуры роста не только на структуру слоев \glqq кремний на сапфире\grqq, но и на кристаллографическую ориентацию выращенных слоев. Обсуждаются электрофизические параметры и люминесцентные свойства слоев. В структурах этого типа получена обусловленная эрбием интенсивная фотолюминесценция при $1.54$mum.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-17120) и INTAS (проект N 03-51-6486).