ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек

Г.Э.Цырлин *,**,***, А.А.Тонких *,**,***, В.Э.Птицын *, В.Г.Дубровский **,
С.А.Масалов **, В.П.Евтихиев **, Д.В.Денисов **, В.М.Устинов **, P.Werner ***

* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
*** Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
06120 Halle (Saale), Germany
E-mail: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru

Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge,Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что в случае одновременного напыления Ge и Sb происходит увеличение плотности и однородности наноостровков по сравнению со случаем напыления чистого Ge. Закономерности образования островков обсуждаются с точки зрения теории формирования островков в системах, рассогласованных по параметру решетки. Проведено исследование полевых эмиссионных свойств полученных объектов с помощью сканирующего электронного микроскопа. Оценка приведенной яркости для (Ge,Sb) / Si-наноструктур дает величину B~ 105 A/(cm2·sr·V), что на порядок превышает значение этой величины для Шоттки-катодов.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Министерства науки и образования, Российской академии наук, а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374). Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung, А.А. Тонких благодарит фонд DFG.

 PDF версия (187Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster