ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge1-xSix / Ge / Ge1-xSix с помощью гальваномагнитных эффектов

М.В.Якунин, Г.А.Альшанский, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина,
О.А.Кузнецов *, А.де Виссер **, Л.Пономаренко **

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
* Физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603600 Нижний Новгород, Россия
** Институт Ван-дер-Ваальса--Зеемана, Университет Амстердама,
Амстердам, Нидерланды
E-mail: yakunin@imp.uran.ru

На основании расчетов структуры размерно-квантованной валентной зоны Ge в слое с ориентацией (111) показано, что эффективная масса, описывающая движение дырок вдоль слоя, почти на порядок меньше, чем масса тяжелых дырок вдоль [111] в объемном материале, которая ответственна за формирование в этом слое уровней размерного квантования. В результате реализуется заполнение многих подзон при умеренных толщинах слоя и концентрациях дырок ps. Опустошение двух или более верхних подзон в слое Ge толщиной 38 nm при ps=5·1015 m-2 наблюдалось при измерении магнитосопротивления в сильном магнитном поле, ориентированном параллельно слоям, тогда как исчезновение состояния квантового эффекта Холла при факторе заполнения nu=1 указывает на слияние двух нижних подзон в самоформирующемся профиле потенциала двойной квантовой ямы. Показано, что в дырочном газе последний эффект должен быть чувствительным к деформации слоя.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-02-16401 и 04-02-614), а также программы РАН \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq.

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster